Характеристики

ISBN/ISSN 978-5-7782-2406-3
Год издания 2014
Автор Данилов В.С., Раков Ю.Н.
Вид издания учНГТУ
Кафедра КТРС
Типография НГТУ
Факультет РЭФ
600 руб.

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.
Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.
Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие    8
Глава 1. Начальные сведения    9
1.1. Фундаментальные понятия и уравнения    9
1.1.1. Уравнение Пуассона    12
1.1.2. Уравнения плотности тока  (или диффузионно-дрейфовые уравнения)    13
1.1.3. Уравнения непрерывности    20
1.1.4. Энергетическая диаграмма    24
1.2. Тепловое равновесие    27
1.2.1. Общие свойства равновесия полупроводников    28
1.2.2. Анализ в равновесии    33
1.3. Неравновесие    40
1.3.1. Уровни инжекции (экстракции)    40
1.3.2. Теория «ловушек» Шокли–Рида–Холла    42
1.3.3. Анализ неравновесной области  при инжекции низкого уровня    46
1.3.4. Уровни Ферми в неравновесном состоянии    55
Задачи    56
Библиографический список к главе 1    58
Глава 2. Биполярный транзистор    59
2.1. Биполярный транзистор  в термодинамическом равновесии    59
2.2. Анализ биполярного транзистора  при малом смещении (базовая модель)    64
2.2.1. Основы анализа неравновесного состояния БТ    64
2.2.2. Составляющие токов неосновных носителей  в объемных областях    69
2.2.3. Составляющие тока в области p–n-перехода    71
2.2.4. Характеристические уравнения БТ    74
2.2.5. Прямой активный режим работы транзистора    77
2.2.6. Графики Гуммеля.  Эффект уменьшения коэффициента  усиления по току, при низких напряжениях  на переходе эмиттер–база    83
2.2.7. Моделирование в случае неравномерных  профилей легирования    85
2.2.8. Эффект Эрли    88
2.3. Биполярный транзистор  при большом смещении    92
2.3.1. Сопротивление базы и смещение эмиттерного тока  к краю эмиттера    93
2.3.2. Влияние высокого уровня инжекции    99
2.3.3. Ионизационное воздействие, лавинное умножение  и пробой перехода коллектор–база    118
2.4. Динамика биполярного транзистора    123
2.4.1. Квазистатический режим работы БТ    125
2.4.2. Эквивалентные схемы БТ    132
Задачи    137
Библиографический список к главе 2    142

Данные подготавливаются.

Вернуться к списку