Характеристики

ISBN/ISSN 978-5-7782-1070-7
Год издания 2008
Автор Драгунов В.П., Неизвестный И.Г.
Вид издания у/п
Кафедра ОПКВК
Типография НГТУ
Факультет ОС

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области полупроводниковой нанотехнологии, микро- и наноэлектроники.

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области полупроводниковой нанотехнологии, микро- и наноэлектроники.



ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ............................................................................ 3
Глава 1. Новая парадигма в тенденциях развития.
кремниевой нано-электроники ................................................ 7
Введение ................................................................................... 7
1.1.    Увеличение быстродействия за счѐт уменьшения
длины канала ............................................................................ 9
1.2.    Использование напряжѐнного кремния
в МДП-транзисторах и КМОП структурах ............................. 14
1.2.1. Механические напряжения в полупроводниках ......... 15
1.2.2. Способы введения напряжений в область
канала МДПТ.. ......................................................................... 23
1.2.2.1. Деформация, вводимая подложкой ......................... 23
1.2.2.2. Деформации, вводимые в область канала
транзистора с помощью технологических процессов .......... 25
1.2.3. Влияние относительной ориентации поверхности
подложки направления тянущего поля в канале
и направления напряжения .................................................... 30
1.3.    Проблема металла при формировании затвора ........... 32
1.4.    Заключение ...................................................................... 37
1.5.    Список литературы .......................................................... 40
Глава 2. Фотоприемники на основе структур
металл–диэлектрик–полупроводник – приборов
с зарядовой связью ................................................................. 43
2.1. Физические основы работы ПЗС-структур ..................... 44
2.1.1. Неравновесное обеднение полупроводника
в МДП структуре ...................................................................... 44
2.1.2. Устройство и принцип работы ПЗС .............................. 47
2.2. Обработка сигнала на многоэлементном ПЗС
(Линейка, Матрица) ................................................................. 59
2.3. Шумы приборов с зарядовой связью .............................. 63
2.4. Приѐмники излучения на основе приборов
с зарядовой инжекцией ........................................................... 65
2.5. Получение цветного изображения .................................. 71
2.6. Приборы, отображающие оптическую информацию .... 78
2.6.1. Электролюминесцентные дисплеи ............................. 79
2.6.2. Материалы для цветных дисплеев ............................. 82
2.6.3. Конструкция многоцветных дисплеев ......................... 84
2.6.4. Жидкокристаллические дисплеи ................................. 86
2.6.5. Плазменные дисплеи ................................................... 91
Список литературы ................................................................. 93
Глава 3. Полупроводниковые нанопроволочные сенсоры .. 94
3.1. Общие проблемы химических
и биологических сенсоров …………………………….............. 95
3.2. Физические принципы работы химических
и биосенсоров …………………………………………..........…. 97
3.3. Методы получения нанопроволок ................................ 102
3.4. Химические нанопроволочные сенсоры ...................... 106
3.5. Нанобиосенсоры ............................................................ 108
3.6. Снабжение энергией автономных наносенсорных
беспроволочных приборов и «нанобиороботов» ............... 119
3.7. Заключение .................................................................... 123
Список литературы ............................................................... 124
Глава 4. Особенности транспорта электронов
в 1D-системах ..... 127
4.1. Кондактанс идеального квантового проводника
в баллистическом режиме ................................................... 131
4.2. Баллистическая проводимость квантовых проводов
при конечных температурах ................................................ 140
4.3. Квантовая проводимость с учетом разогрева
носителей заряда в продольном электрическом поле ...... 142
4.4. Интерференционный транзистор на основе
одномодового КП................................................................... 145
4.5. Особенности измерения кондактанса КП
в баллистическом режиме многоконтактным методом ..... 149
4.6. Электропроводность квантовых проволок
в диффузионном режиме .................................................... 154
4.7. Влияние флуктуаций толщины полупроводниковой
квантовой проволоки на ее статическую
электропроводность ............................................................ 156
4.8. Влияние магнитного поля на проводимость КП
в диффузионном режиме .................................................... 161
4.9. Плотность состояний в квантовом проводе
с уширенными энергетическими уровнями ........................ 170
Список литературы .............................................................. 176
Глава 5. Нанотрубки ............................................................ 181
5.1. Структура углеродных нанотрубок .............................. 183
5.2. Электронные свойства углеродных нанотрубок ......... 192
5.3. Механические свойства углеродных нанотрубок ....... 203
5.4. Фононный спектр углеродных нанотрубок .................. 220
Список литературы .............................................................. 225
Глава 6. Магнитоэлектроника ............................................. 231
6.1. Гигантское магнетосопротивление ............................... 233
6.1.1. Гигантское магнетосопротивление
в мультислойных структурах первого типа ........................ 238
6.1.2. Гигантское магнетосопротивление
в мультислоях второго и третьего типа .............................. 247
6.1.3. Магнитные туннельные структуры ........................... 253
6.2. Колоссальное магнетосопротивление
в магнитных полупроводниках ............................................ 257
6.3. Гигантский магнитоэлектрический эффект
в мультиферроиках ............................................................. 262
6.4. Основные направления развития
магнитоэлектроники............................................................. 271
Список литературы .............................................................. 277
Глава 7. Фотонные кристаллы............................................. 283
7.1. Общие положения ........................................................ 283
7.2. Одномерные фотонные кристаллы ............................. 286
7.3. Одномерные квазипериодические
фотонные кристаллы ........................................................... 290
7.4. Особенности плотности состояний одномерного
разупорядоченного фотонного кристалла .......................... 296
7.5. Фотонно-кристаллические свойства
магнитогиротропных сред .................................................... 306
7.6. Двух- и трехмерные фотонные кристаллы .................. 313
7.7. Фотонные кристаллы на основе опала ........................ 317
7.8. Оптические свойства нанокомпозитов на основе
пористого кремния ............................................................... 324
7.8.1. Формирование пористого кремния ........................... 325
7.8.2. Двулучепреломление и дисперсия оптических
параметров ПК ..................................................................... 327
7.8.3. Двулучепреломление окисленного ПК ..................... 332
7.8.4. Одномерные фотонно-кристаллические
структуры на основе ПК ...................................................... 334
7.8.5. Двух- и трехмерные фотонно-кристаллические
структуры на основе ПК ...................................................... 338
Список литературы .............................................................. 347

Железногорск ОАО"ИСС" - 1 книга

Москва Администрация Президента Российской Федерации Библиотека - 1 книга
БИБКОМ - 2 книги
Бибиблиотека по естественным наукам РАН - 1 книга
Библиотека Московского государственного университета (МГУ) - 1 книга
Всероссийская государственная библиотека иностранной литературы им. М.И. Рудомино, Москва - 1 книга
Всероссийский Институт научной и технической информации РАН - 1 книга
Государственная общественно-политическая библиотека - 1 книга
Государственная публичная историческая библиотека - 1 книга
Государственная публичная научно-техническая библиотека СО РАН (ГПНТБ СО РАН) - 1 книга
Государственная публичная научно-техническая библиотека, Москва - 1 книга
Институт научной информации по общественным наукам РАН - 1 книга
Московская государственная консерватория им. П.И. Чайковского. Научная музыкальная библиотека им. С.И. Танеева, Москва - 1 книга
ООО "АВТВ" - 3 книги
ООО "БУКС-9" - 6 книг
ООО "Медиа Изд-во" - 1 книга
ООО ТЕХКОМПЛЕКТ - 3 книги
ООО ТИД "АРИС" - 3 книги
Парламентская библиотека Государственной Думы и Федерального собрания - 1 книга
Политехнический музей, Центральная политехническая библиотека - 1 книга
Российская государственная библиотека (РГБ) - 1 книга
Российская национальная библиотека (РНБ) - 1 книга
Центральная научная медицинская библиотека Московской медицинской академии им. И.М. Сеченова - 1 книга
Центральная научная сельскохозяйственная библиотека Российской академии сельскохозяйственных наук - 1 книга

Новосибирск ГПНТБ - 12 книг
Новосибирская государственная областная научная библиотека (НГОНБ) - 1 книга
ООО "Книги Сибири" - 3 книги
ООО "Трансиб" - 3 книги
Спецкнига - 1 книга

Санкт-Петербург Библиотека Российской академии наук (БАН) - 1 книга

Ульяновск Ульян.ГТУ - 1 книга

Хабаровск Дальневосточная государственная научная библиотека - 1 книга

Вернуться к списку