На главную Написать письмо Карта сайта

Издательство

Сектор реализации

Типография

Портал НГТУ


заказ книг

Сверхширокополосные аттенюаторы высокого уровня мощности

Рассмотрены вопросы построения согласованных аттенюаторов и оконечных нагрузок, выполненных на основе планарных пленочных резисторов. Аттенюаторы предназначены для работы в полосе частот от 0…5 ГГц при уровнях входной мощности от нескольких сотен ватт до единиц киловатт. На основе декомпозиционного подхода и элек-тромагнитного описания представлены новые и усовершенствованные методы расчета и математические модели элементной базы аттенюато-ров, распределенных пленочных резисторов, методы синтеза транс-формирующих и согласующих звеньев с диссипативными потерями.
Адресована широкому кругу специалистов в области микроволно-вых широкополосных устройств телекоммуникационных систем, циф-рового телевидения и радиовещания, а также студентам, магистрантам и аспирантам, обучающимся по направлениям «Радиотехника» и «Ин-фокоммуникационные технологии и системы связи».



ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие    7
Основные сокращения и обозначения    12
Глава 1. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СВЧ-АТТЕ-НЮАТОРОВ  ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ    17
1.1. Линия передачи с диссипативными потерями    17
1.2. Оконечные нагрузки    19
1.3. Фиксированные аттенюаторы    23
1.4. Предельно достижимая полоса частот мощных пленочных
аттенюаторов и нагрузок    34
1.5. Тепловые аспекты  при расчете СВЧ-аттенюаторов и СВЧ-нагрузок    34
Выводы    35
Глава 2. ДЕКОМПОЗИЦИОННЫЙ МЕТОД МОДЕЛИРОВАНИЯ   ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРАХ    37
2.1. Математическая модель электромагнитных процессов
в планарных пленочных резисторах    37
2.2. Эквивалентная схема планарного пленочного резистора    38
2.3. Дискретизация на основе метода токовых полос    45
Выводы    51
Глава 3. ИНДУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ    53
3.1. Расчет индуктивных параметров эквивалентной схемы пленоч-ного резистора и на их основе расчет интегральной индуктив-ности пленочного резистора и приведенных индуктивностей отдельных блоков    53
3.2. Декомпозиционный подход для определения индуктивности пленочных резисторов методом среднегеометрических
расстояний    67
3.3. Представление интегральной индуктивности  пленочного
резистора через декомпозиционные параметры    68
3.4. Интегральное соотношение для собственной индуктивности
резистивной пленки    74
3.5. Систематизация методов расчета  индуктивности микрополос-ковых линий    79
3.6. Экспериментальное измерение  и расчет по аналитическим
методам индуктивности отрезков МПЛ    84
3.7. Метод построения дифференциальной модели для эксперимен-тальных значений индуктивности    87
3.8. Оценка отклонений регрессионных и расчетных значений ин-дуктивности МПЛ от сглаженных экспериментальных данных    92
3.9. Калмановская фильтрация для оценки погрешности методов расчета индуктивности отрезков МПЛ    95
3.10. Оценка невязки экспериментальных данных и аналитических расчетов интегральной индуктивности микрополосковой линии    103
Выводы    110
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЕМКОСТИ
В ПОПЕРЕЧНОМ СЕЧЕНИИ МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ    113
4.1. Постановка задачи нахождения парциального распределения емкости в МПЛ    113
4.2. Нахождение парциального распределения емкости в МПЛ
методом конформного преобразования    114
4.3. Численное моделирование в поперечном сечении МПЛ
методом конечных элементов    124
4.4. Математическая модель для поперечного сечения МПЛ
в конформно отображенной области    128
4.5. Результаты численного моделирования для МПЛ    129
4.6. Приближенный расчет распределения емкости в поперечном сечении МПЛ    131
4.7. Сравнение результатов расчета методом конформного
отображения и методом конечных элементов    134
4.8. Сравнение точности значений емкости,  полученных методом конечных элементов и по предложенной методике    143
4.9. Емкость плоского конденсатора прямоугольного сечения    147
Выводы    149
Глава 5. ПЛЕНОЧНЫЕ АТТЕНЮАТОРЫ И НАГРУЗКИ, ВЫПОЛ-НЕННЫЕ НА ОСНОВЕ ТРАНСФОРМИРУЮЩИХ
И СОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ    153
5.1. Анализ проблемы и постановка задачи    153
5.2. Итерационный метод синтеза трансформирующих цепей
с диссипативными потерями    158
5.3. Сходимость итерационного метода синтеза согласующей цепи с диссипативными потерями    164
5.4. Синтез симметричных фильтров с диссипативными потерями    168
Выводы    175
Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ    177
6.1. Введение в задачу моделирования  тепловых процессов    177
6.2. Моделирование теплового поля  элементарного декомпозици-онного блока  резистивной пленки    179
6.3. Моделирование теплового поля  пленочного резистора на основе  метода декомпозиции    185
6.4. Кусочно-линейная аппроксимация температурного поля на по-верхности пленки    191
6.5. Экспериментальное исследование тепловых режимов аттенюа-тора  в тонкопленочном исполнении    199
Выводы    203
Глава 7. РАЗРАБОТКА И РЕАЛИЗАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ-УСТРОЙСТВ И АТТЕНЮАТОРОВ НА ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРАХ    205
7.1. Многоэлементная пленочная СВЧ-нагрузка    206
7.2. Способы построения мощных аттенюаторов    215
7.3. Электромагнитное моделирование пленочного резистора    221
7.4. Метрологические аттенюаторы для телевизионной передающей аппаратуры    228
7.5. Универсальный широкополосный модульный аттенюатор большой мощности для работы с радиопередающей
аппаратурой    239
7.6. Широкополосные пленочные СВЧ-аттенюаторы высокого уровня мощности  нового поколения    251
7.7. Широкополосная  амплитудно-частотная коррекция    265
7.8. Двухканальный синфазный  сумматор-делитель мощности
с компенсацией  паразитных параметров балластного резистора    272
7.9. Многоканальные синфазные  сумматоры-делители мощности Уилкинсона  с корректирующим шлейфом    285
7.10. Согласованный полосно-пропускающий  СВЧ-фильтр    293
7.11. Датчик превышения длительности  радиоимпульса    301
Выводы    304
Заключение    307
Библиографический список    310

Назад в раздел

Новинки

Бирюков В.В.
Оборудование нефтегазовых производств
Год издания: 2016
Число страниц: 514
ISBN: 978-5-7782-3009-5
Анисимов М.П.
Поверхности скоростей зародышеобразования
Год издания: 2017
Число страниц: 172
ISBN: 978-5-7782-3291-4
Игнатьев В.И.
Социология информационного общества
Год издания: 2017
Число страниц: 356
ISBN: 978-5-7782-3239-6

Новости

24 Май 2017
На сайте обновлен прайс-лист на учебную литературу, учебники и монографии.
Подробнее

17 Мар 2017
Подписан Приказ о включении работ в серии "Учебники НГТУ", "Монографии НГТУ 2017 г.
Подробнее

© 1994-2013, Издательство НГТУ
630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20, тел./факс: +7 (383) 346-31-87, эл. почта: office@publish.nstu.ru