На главную Написать письмо Карта сайта

Издательство

Сектор реализации

Типография

Портал НГТУ


заказ книг

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзис¬торах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.
Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.

ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие    8
Глава 1. Начальные сведения    9
1.1. Фундаментальные понятия и уравнения    9
1.1.1. Уравнение Пуассона    12
1.1.2. Уравнения плотности тока  (или диффузионно-дрейфовые уравнения)    13
1.1.3. Уравнения непрерывности    20
1.1.4. Энергетическая диаграмма    24
1.2. Тепловое равновесие    27
1.2.1. Общие свойства равновесия полупроводников    28
1.2.2. Анализ в равновесии    33
1.3. Неравновесие    40
1.3.1. Уровни инжекции (экстракции)    40
1.3.2. Теория «ловушек» Шокли–Рида–Холла    42
1.3.3. Анализ неравновесной области  при инжекции низкого уровня    46
1.3.4. Уровни Ферми в неравновесном состоянии    55
Задачи    56
Библиографический список г главе 1    58
Глава 2. Биполярный транзистор    59
2.1. Биполярный транзистор  в термодинамическом равновесии    59
2.2. Анализ биполярного транзистора  при малом смещении (базовая модель)    64
2.2.1. Основы анализа неравновесного состояния БТ    64
2.2.2. Составляющие токов неосновных носителей  в объемных областях    69
2.2.3. Составляющие тока в области p–n-перехода    71
2.2.4. Характеристические уравнения БТ    74
2.2.5. Прямой активный режим работы транзистора    77
2.2.6. Графики Гуммеля.  Эффект уменьшения коэффициента  усиления по току, при низких напряжениях  на переходе эмиттер–база    83
2.2.7. Моделирование в случае неравномерных  профилей легирования    85
2.2.8. Эффект Эрли    88
2.3. Биполярный транзистор  при большом смещении    92
2.3.1. Сопротивление базы и смещение эмиттерного тока  к краю эмиттера    93
2.3.2. Влияние высокого уровня инжекции    99
2.3.3. Ионизационное воздействие, лавинное умножение  и пробой перехода коллектор–база    118
2.4. Динамика биполярного транзистора    123
2.4.1. Квазистатический режим работы БТ    125
2.4.2. Эквивалентные схемы БТ    132
Задачи    137
Библиографический список к главе 2    142

Назад в раздел

Новинки

Игнатьев В.И.
Социология информационного общества
Год издания: 2017
Число страниц: 356
ISBN: 978-5-7782-3239-6
Бирюков В.В.
Оборудование нефтегазовых производств
Год издания: 2016
Число страниц: 514
ISBN: 978-5-7782-3009-5
Анисимов М.П.
Поверхности скоростей зародышеобразования
Год издания: 2017
Число страниц: 172
ISBN: 978-5-7782-3291-4

Новости

24 Май 2017
На сайте обновлен прайс-лист на учебную литературу, учебники и монографии.
Подробнее

17 Мар 2017
Подписан Приказ о включении работ в серии "Учебники НГТУ", "Монографии НГТУ 2017 г.
Подробнее

© 1994-2013, Издательство НГТУ
630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20, тел./факс: +7 (383) 346-31-87, эл. почта: office@publish.nstu.ru